Catalogue of the offering of equipment used for research, analysis and experimentation activities available in High Technology Network Laboratories. Each item of equipment is shown with its specifications, functional characteristics, location, and method of access.
Microscopio a forza atomica per misure di forza e di topografia superficiale su scala nanometrica
Microscopio con testo inclinabile di 90° che permette di ingrandire ad alta risoluzione fino a 5000X.
Permette di studiare la microstruttura di campioni in forma di polvere o massivo, cioè forma-distribuzione-dimensione-aggregazionedelle parti
Il microscopio elettronico a scansione (SEM) a pressione variabile (VP) o ambientale (E) FEI QUANTA 200 ad alte prestazioni é dotato di sorgente el
Permette di ottenere in pochi secondi composti omogenei, con solidi perfettamente dispersi, senza residui di aria e tutto questo direttamente nel c
Il metodo applica l’equazione BET e si basa sull' adsorbimento dell'azoto (N2).
Permette la lettura di micropiastre da 96 pozzetti ad uno spettro compreso tra 340 e 850 nm idoneo per applicazioni che vanno dalla cinetica enzima
Nanoindenter con punta Berkovich. . Profondità massima di contatto: >500 µm. Carico massimo: 500 mN
Il picnometro misura la densità reale della polvere tramite il principio dello spostamento di gas.
La porosimetria ad intrusione di mercurio ci consente di misurare il volume e le dimensioni dei pori.
La pressatura isostatica a freddo (CIP) consiste nel comprimere una polvere ceramica opportunamente preparata contenuta in uno stampo flessibile (d
Associa l’effetto della temperatura a quello della pressione e permette di ottenere materiali con porosità residue minime.
Equipaggiata con rotore da 36, 72 e 100 campioni e dal Rotor-Disc Heat Sealer per sigillare a caldo i rotor disc
Tramite l'utilizzo di specifiche sonde a fluorescenza lo strumento permette la simultanea amplificazione e quantificazione di frammenti d
Misure di tensione (o energia) superficiale e angolo di contatto
Sistema ottico dotato di camera ad alta velocità di acquisizione per la determinazione delle proprietà superficiali di solidi (angolo di contatto,
La spettroscopia di emissione al plasma (ICP-OES) è una tecnica di analisi utilizzata per determinare la composizione elementare qualitativa e quan
Permette l'analisi chimica di materiali organici ed inorganici.